MAT01AHZ是一款单片双NPN晶体管。独特的氮化硅“三重钝化”工艺在温度和时间上提供了关键参数的优异稳定性。匹配特性包括40µV的偏置电压、0.15µV/°C的温度漂移和0.7%的hFE匹配。
在六个十年的集电极电流范围内提供了非常高的h,包括集电极电流仅为10nA时590的异常hFE。集电极电流较低时的高增益使MAT01AHZ非常适合用于低功率、低电平输入级。
特色
- 低VOS(VBE匹配):典型值为40μV,最大值为100μV
- 低TCVOS:最大0.5μV/°C
- 高hFE:500最小值
- 从10 nA到10 mA的卓越hFE线性
- 低噪声电压:0.23μV p-p,0.1 Hz至10 Hz
- 高击穿电压:45 V min
(图片:引出线)