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PUMB11135是TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6SSOP,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备包功能,如6-TSSOP,功率最大设计为300mW,除了2 PNP预偏置(双)晶体管类型外,该器件还可以用作100mA集电极Ic最大值。此外,集电极-发射极击穿最大值为50V,该器件提供10k电阻基极R1欧姆,该器件具有10k电阻发射极基极R2欧姆,直流电流增益hFE最小Ic Vce为30@5mA,5V,Vce饱和最大Ib Ic为150mV@500μa,10mA,集电极截止最大值为1μA。
PUMB11115是TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6SSOP,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在150mV@500μa,10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,数据表说明中显示了用于2 PNP-预偏置(双)的晶体管类型,提供了供应商设备包功能,如6-TSSOP,电阻器-发射极基极R2欧姆设计为10k,除了10k电阻基极R1欧姆外,该器件还可以用作300mW最大功率。此外,该封装为Digi-ReelR替代封装,该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒,该器件具有安装型表面安装,直流电流增益hFE最小Ic Vce为30@5mA、5V,集流器Ic最大值为100mA,集电极截止电流最大值为1μA。
PUMB11,带有NXP制造的电路图。PUMB11采用SOT-363封装,是预偏置晶体管(BJT)阵列的一部分。