9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EMA6DXV5T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EMA6DXV5T1G价格参考$0.04000。onsemi EMA6DXV5T1G包装/规格：TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553。您可以下载EMA6DXV5T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EMA5T2R是TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5，包括EMA5系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-SMD（5引线）、扁平引线、安装类型设计用于表面安装，以及EMT5供应商设备封装，该设备也可以用作双公共发射器配置。此外，功率最大值为150mW，该器件采用2 PNP-预偏置（双）晶体管类型，该器件具有100mA的集流器Ic最大值，集流器-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆为2.2k，电阻器发射极基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@10mA，5V，Vce饱和最大Ib Ic为300mV@250μa，5mA，集电极截止电流最大值为500nA，频率转换为250MHz，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，晶体管极性为PNP，连续集电极电流为-100 mA，DC集电极基极增益hfe Min为80，典型输入电阻为2.2kΩ，典型电阻比为21，峰值DC集电极电流为100mA。
EMA6DXV5T1是TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于2 PNP-预偏置（双）的晶体管类型，该晶体管提供了供应商设备包功能，如SOT-553，电阻器基极R1欧姆设计为47k，除了230mW最大功率外，该设备还可以用作切割胶带（CT）包装。此外，封装外壳为SOT-553，该器件为表面安装安装型，该器件具有160@5mA、10V的直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为500nA。
EMA6，电路图由ROHM制造。EMA6采用SOT-353封装，是IC芯片的一部分。
