9icnet为您提供由NXP USA Inc.设计和生产的BCM857DS115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BCM857DS115参考价格为0.06000美元。NXP USA Inc.BCM857DS115包装/规格：PNP/PNP匹配双TRANSISTO。您可以下载BCM857DS115英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BCM857BV-7带有引脚细节，包括BCM857系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于SOT-563、SOT-666以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-563供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供357mW最大功率，该设备具有晶体管型2 PNP（双重），集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为400mV@5mA，100mA，且集电极截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为175MHz，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-45 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-200 mV，集电极基极电压VCBO为-50 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-200 mA，增益带宽乘积fT为175 MHz，直流集电极基极增益hfe Min为200，直流电流增益hfe Max为450。
BCM857BV，315是TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-666，包括45V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在400mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，数据表注释中显示了用于2 PNP（双）匹配对的晶体管类型，该对提供了供应商设备包功能，如SOT-666，功率最大值设计为300mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备提供175MHz频率转换，该设备具有200@2mA、5V的直流电流增益hFE最小Ic-Vce，集电器最大Ic为100mA，集电器截止电流最大值为15nA（ICBO）。
BCM857DS，带有NXP制造的电路图。BCM857DS采用SOT-163封装，是IC芯片的一部分。
