9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的MMDT5551-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMDT5551-7参考价格为5.160522美元。Diodes Incorporated MMDT5551-7包装/规格：TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363。您可以下载MMDT5551-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMDT5451-7-F是TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363，包括MMDT54系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供200mW功率最大值，该设备具有晶体管型NPN、PNP，集电极Ic最大值为200mA，集电极-发射极击穿最大值为160V、150V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@10mA、5V/60@10mA和5V，Vce饱和最大Ib Ic为200mV@5mA、50mA/500mV@5mA和50mA，集电极截止电流最大值为50nA（ICBO），频率转换为300MHz，Pd功耗为0.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-150V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为0.2V，集电极基极电压VCBO为-160V，发射极基极电压VEBO为-5V，最大直流集电极电流为0.2A，增益带宽乘积fT为300MHz，连续集电极电流是-0.2A，直流集电极基基增益hfe Min为60，直流电流增益hfe Max为240。
MMDT5551，带有DIODES制造的用户指南。MMDT5551采用SOT363封装，是晶体管（BJT）阵列的一部分。
MMDT5551 K4N，电路图由CJ制造。MMDT5551 K4N采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
