特色
- 高增益低噪声RF晶体管
- 为各种无线应用提供卓越性能
- 非常适合CDMA和WLAN应用
- 1.8 GHz时的杰出噪声系数F=0.65 dB，6 GHz时的卓越噪声系数F=1.2 dB
- 高最大稳定增益：Gms=24 dB，1.8 GHz
- 黄金金属化，可靠性极高
- 70 GHz fT硅锗技术
- 无铅（符合RoHS）包装1）
- 符合AEC Q101
BFP640FE6327
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 4.5伏 最大功率: 200mW 特征频率: 40GHz 供应商设备包装: 4-TSFP
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥2.19443
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.19
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 晶体管类别 NPN
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 最大功率 200mW
- 集电极击穿电压 4.5伏
- 特征频率 40GHz
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) 0.65分贝～1.2分贝@1.8GHz～6GHz
- 最大集电极电流 (Ic) 50毫安
- 最小直流增益 110@30毫安，3V
- 增益 23分贝
- 包装/外壳 4-SMD，扁平引线
- 供应商设备包装 4-TSFP
BFP640FE6327 产品详情
BFP640FE6327 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| BFP 420 H6801 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥3.46812 |
| BFP740H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4V 集电极电流(Ic)：45mA 功率(Pd)：160mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@25mA,3V | ¥1.76181 |
| BFP420H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4.5V 集电极电流(Ic)：60mA 功率(Pd)：210mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：95@20mA,4V | ¥0.86471 |
| BFP 196W H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：700mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@50mA,8V | ¥0.54684 |
| BFP520H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：3.5V 功率(Pd)：100mW | ¥1.96075 |
| BFP 640 H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.34935 | |
| BFP 640ESD H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.5536 | |
| BFP196WH6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥0.73226 |
BFP640FE6327所属分类：双极射频晶体管，BFP640FE6327 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFP640FE6327价格参考￥2.194425，你可以下载 BFP640FE6327中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFP640FE6327规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
