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BC857BTT1G是TRANS PNP 45V 0.1A SC-75-3，包括BC857BT系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SC-75、SOT-416等封装盒功能，安装类型设计为在表面安装中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为200mW，该器件为PNP晶体管型，该器件具有100mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA，100mA，电流收集器截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为0.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-45 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-0.65 V，集电极基极电压VCBO为-50 V，发射极基极电压VEBO为5 V，最大DC集电极电流为0.1A，增益带宽乘积fT为100MHz，连续集电极电流是-0.1A，DC集电极基本增益hfe Min为150。
BC857B-TP是TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23，包括45V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在650mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090 oz，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP中工作，以及SOT-23供应商设备包，该设备也可以用作BC857系列。此外，最大功率为310mW，该器件提供310mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最大工作温度范围为+150℃，最大直流集电极电流为-200 mA，增益带宽乘积fT为100MHz，频率转换为200MHz，发射极基极电压VEBO为-5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA，5V，集电极Ic最大值为100mA，集电极截止电流最大值为15nA，连续集电极电流为-100mA，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50V。
BC857BV，电路图由CJ制造。BC857BV采用SOT-563封装，是IC芯片的一部分。
