9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MC1413DR2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MC1413DR2G参考价格为0.64000美元。onsemi MC1413DR2G包装/规格：TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC。您可以下载MC1413DR2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MC1413DG是TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO，包括MC1413系列，它们设计用于管式交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.023492盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于16-SOIC（0.154“，3.90mm宽），以及表面安装安装类型，该器件也可以用作16-SOIC供应商器件封装。此外，配置为阵列7，该器件提供7 NPN达林顿晶体管类型，该器件具有500mA的集电极Ic Max，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为1000@350mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为1.6V@500μa，350mA，其最大工作温度范围为+85 C，它的最小工作温度范围为-20℃，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，最大直流集电极电流为0.5 A，直流集电极基极增益hfe Min为1000。
MC1413DR2是TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.6V@500μa、350mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于7 NPN达林顿，提供供应商器件封装功能，如16-SOIC，除了16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作表面安装型。此外，直流电流增益hFE最小Ic Vce为1000@350mA，2V，该器件提供500mA集流器Ic最大值。
MC1413DR，带有ON制造的电路图。MC1413DR在SOP封装中提供，是晶体管（BJT）阵列的一部分。
