(图片:引出线)
NSTB1002DXV5T1G
- 描述:晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、200毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 500mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-553
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 4000
数量 | 单价 | 合计 |
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4000+ | 0.70618 | 2824.73200 |
- 库存: 400000
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 集电极最大截止电流 500nA
- 特征频率 250MHz
- 最大功率 500mW
- 安装类别 表面安装
- 发射极电阻 (R2) 47kOhms
- 基极电阻 (R1) 47kOhms
- 晶体管类别 1个NPN预偏置,1个PNP
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安、200毫安
- 包装/外壳 SOT-553
- 集电极击穿电压 50V, 40V
- 最小直流增益 80 @ 5毫安, 10V / 100 @ 1毫安, 10V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安/40mV@5毫安,50毫安
- 供应商设备包装 SOT-553
NSTB1002DXV5T1G 产品详情
双双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的单个晶体管,该网络由两个电阻器组成:一个串联基极电阻器和一个基极-发射极电阻器。这些数字晶体管被设计为取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这通过将这些单独的组件集成到单个设备中消除了这些组件。在NSTB1002DXV5T1系列中,SOT?553封装中容纳了两个互补的器件,这是低功耗表面安装应用的理想选择,因为电路板空间非常大。
NSTB1002DXV5T1G所属分类:预偏置双极晶体管阵列,NSTB1002DXV5T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSTB1002DXV5T1G价格参考¥0.706183,你可以下载 NSTB1002DXV5T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSTB1002DXV5T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
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