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NE856M02-AZ是RF TRANSISTOR NPN SOT-89，包括散装替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，包装箱如数据表注释所示，用于to-243AA，提供Si等技术特性，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-89供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为1.2W，该器件为NPN晶体管型，该器件具有100mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@20mA，10V，频率转换为6.5GHz，噪声系数dB Typ f为1.1dB@1GHz，增益为12dB，Pd功耗为1.2W，且集电极-发射极电压VCEO Max为12V，且晶体管极性为NPN，且发射极-基极电压VEBO为3V，且连续集电极电流为0.1A，且DC集电极-基极增益hfe Min为250。
NE85639-T1-R27-A带有用户指南，包括12V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管类型，数据表注释中显示了200mW的最大功率，提供噪声系数dB Typ f特性，如1.1dB@1GHz，增益设计用于13dB，以及9GHz频率转换，10V直流电流增益hFE最小Ic Vce。此外，集电器Ic Max为100mA。
NE85639-T1-R28-A，带电路图，包括100mA电流收集器Ic Max，它们设计为在50@20mA、10V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表注释中显示了用于9GHz的频率转换，其提供13dB等增益特性，噪声系数dB Typ f设计为在1.1dB@1GHz下工作，以及200mW最大功率，该器件也可以用作NPN晶体管型。此外，电压收集器发射器击穿最大值为12V。
