特色
- 超小型复合数字晶体管
- 内置偏置电阻器
- 泄漏吸收型
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
EMB10T2R
- 描述:晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 8000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 8000+ | 0.74391 | 5951.34400 |
| 16000+ | 0.67829 | 10852.76800 |
| 24000+ | 0.63455 | 15229.20000 |
| 56000+ | 0.61926 | 34679.00800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.74392
-
数量:
- +
- 总计: ¥5,951.34
在线询价
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 集电极击穿电压 50V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 特征频率 250MHz
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
- 晶体管类别 2 PNP-预偏置（双）
- 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 250A, 5毫安
- 发射极电阻 (R2) 47kOhms
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最小直流增益 80 @ 10毫安, 5V
- 最大功率 150mW
- 供应商设备包装 EMT6
EMB10T2R 产品详情
集成两个晶体管的器件以超紧凑封装形式提供，适用于各种应用，如前置放大器差分放大电路、高频振荡器、驱动器IC等。
EMB10T2R 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | EMB-84-0# | 波莫纳电子 (Pomona) | TEST LEAD BANANA TO BANANA 84" | ¥129.14283 |
 | EMB-30-6# | 波莫纳电子 (Pomona) | TEST LEAD BANANA TO BANANA 30" | ¥53.52503 |
| EMB-30-9# | 波莫纳电子 (Pomona) | TEST LEAD BANANA TO BANANA 30" | ¥53.52503 |
| EMBNC-C-156# | 波莫纳电子 (Pomona) | TEST LEAD BNC TO BNC 156" | ¥290.36786 |
| EMBNC-C-312# | 波莫纳电子 (Pomona) | TEST LEAD BNC TO BNC 312" | ¥356.27825 |
| EMBCDTNMCCDVK | 英特尔 (Intel RealSense) | EMBCDTNMCCDVK | ¥4,403.10377 |
| EMBC2DGM45DR3MK | 英特尔 (Intel RealSense) | EMBC2DGM45DR3MK | ¥0.2748 |
| EMB4432BBBBJ-DV-F-D | 镁光 (Micron) | SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG | ¥40.52403 |
| EMB8132B4PM-DV-F-D | 镁光 (Micron) | IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 256MX32 FB | ¥104.18187 |
| EMBA164B2PR-DV-F-D | 镁光 (Micron) | SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 VFBG | ¥88.84141 |
EMB10T2R所属分类：预偏置双极晶体管阵列，EMB10T2R 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。EMB10T2R价格参考￥0.743918，你可以下载 EMB10T2R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询EMB10T2R规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
