带有NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。
MMBTH10M3T5G
- 描述:晶体管类别: NPN 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 265毫瓦 特征频率: 650MHz 供应商设备包装: SOT-723
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.39015 | 2.39015 |
| 10+ | 1.97731 | 19.77312 |
| 25+ | 1.65717 | 41.42940 |
| 100+ | 1.04877 | 104.87720 |
| 250+ | 0.80946 | 202.36675 |
| 500+ | 0.68981 | 344.90700 |
| 1000+ | 0.46912 | 469.12300 |
| 2500+ | 0.42313 | 1057.82500 |
| 8000+ | 0.36793 | 2943.51200 |
- 库存: 5233
- 单价: ¥2.31773
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.39
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规格参数
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) -
- 增益 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 集电极击穿电压 25伏
- 特征频率 650MHz
- 最小直流增益 60 @ 4毫安, 10V
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 SOT-723
- 最大功率 265毫瓦
- 供应商设备包装 SOT-723
MMBTH10M3T5G 产品详情
RF双极晶体管，ON半导体标准
MMBTH10M3T5G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMB70-12GH50-1N-V1 | 倍加福 (Pepperl+Fuchs) | 种类: 转换 频率: 1千赫 电源电压: 8.2V 包装/外壳: 气缸，螺纹-M12 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥1,618.42601 |
 | MMBT4403WT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS SS GP PNP SS 40V SC70 | ¥0.14486 |
 | MMBD6050LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCH 70V SOT23 | ¥0.28972 |
 | MMBD6050LT3 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCHING 70V SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT2222ATT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 75V 600MA SC-75 | ¥0.14486 |
| MMBT3416LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 25V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBT4124LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 20V 200MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT4401LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBZ5239ELT1G | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 9.1V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBD4148,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SWITCH 75V 0.215A TO236AB | ¥0.14486 |
MMBTH10M3T5G所属分类：双极射频晶体管，MMBTH10M3T5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBTH10M3T5G价格参考￥2.317728，你可以下载 MMBTH10M3T5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBTH10M3T5G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
