NPN硅锗微波晶体管，适用于塑料、4针双发射极SOT343F封装中的高速、低噪声应用。
特色
- 低噪声高增益微波晶体管
- 1.8 GHz时的高最大稳定增益27 dB
- 110 GHz fT硅锗技术
- DBS LNB中的第二级和第三级LNA
- 卫星无线电
- 微波通信系统用低噪声放大器
- WLAN和WiMAX应用
- 模拟/数字无绳应用
ON5088,115
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安 集电极击穿电压: 10伏 最大功率: 136毫瓦 特征频率: 55GHz 供应商设备包装: 4-DFP
- 品牌: 恩智浦 (NXP)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.01160 | 1.01160 |
| 200+ | 0.39147 | 78.29580 |
| 500+ | 0.37771 | 188.85850 |
| 1000+ | 0.37092 | 370.92300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.01160
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.01
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 晶体管类别 NPN
- 制造厂商 恩智浦 (NXP)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 10伏
- 增益 13分贝
- 包装/外壳 SOT-343F
- 供应商设备包装 4-DFP
- 最大集电极电流 (Ic) 40毫安
- 最大功率 136毫瓦
- 特征频率 55GHz
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) 1.1分贝@12GHz
- 最小直流增益 160@10毫安，2V
ON5088,115 产品详情
ON5088,115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ON5426/C3,127 | 恩智浦 (NXP) | ON5426/C3,127 | ¥1,843.30356 |
| ON5574J | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ARRAY SCHOTTKY | ¥226.19577 |
| ON5615E-R58 | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 560 Ohms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: 碳膜 包装/外壳: 轴的 | ¥21.16375 |
| ON5635E-R58 | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 56 kOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: 碳膜 包装/外壳: 轴的 | ¥2.74645 |
| ON5115E-R58 | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 510 Ohms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: 碳膜 包装/外壳: 轴的 | ¥2.82473 |
| ON5135E-R58 | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 51 kOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: 碳膜 包装/外壳: 轴的 | ¥1.88315 |
| ON51G5E-R58 | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 5.1 Ohms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: 碳膜 包装/外壳: 轴的 | ¥2.17287 |
| ON5040 | 罗切斯特电子 (Rochester) | ON5040 - RF POWER TRANSISTOR (AM | ¥580.01143 |
 | ON5635E-R65 | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 56 kOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: 碳膜 包装/外壳: 轴的 | ¥0.40459 |
 | ON5135E-R65 | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 51 kOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: 碳膜 包装/外壳: 轴的 | ¥0.40459 |
恩智浦 (NXP)
NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商，为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合，包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新，为工业和汽车应用提供强大的电源...
