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DSC9A01T0L是TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI3，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，包装箱如数据表注释所示，用于SC-89、SOT-490，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于SS-Mini3-F3-B，以及单一配置，该器件还可以用作125mW功率最大值。此外，晶体管类型为NPN，该器件提供50mA集流器Ic Max，该器件具有40V的集流器-发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为1000@2mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为200mV@1mA，10mA，集流器截止最大值为1μa，频率转换为150MHz，其最大工作温度范围为+85 C，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为50 mV，集电极基极电压VCBO为50 V，发射极基极电压VEBO为15 V，最大直流集电极电流为100 mA，且增益带宽乘积fT为150MHz，且连续集电极电流为50mA，且DC集电极基本增益hfe Min为400。
DSC9A01R0L是TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI3，包括40V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在200mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计为在SS-Mini3-F3-B以及125mW最大功率下工作，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SC-89、SOT-490，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，增益带宽乘积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为400@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE Min为400，集流器Ic Max为50mA，集流器截止电流Max为1μA，连续集流器电流为50 mA，配置为单集流器-发射极电压VCEO Max为40 V。
DSC9A01S0L是双极晶体管-BJT SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm，包括40 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于单配置操作，数据表注释中显示了用于50 mA的连续集电极电流，提供DC集电极基本增益hfe Min功能，例如400，增益带宽产品fT设计用于150 MHz，它的最大工作温度范围为+150℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，包装箱为SSMini3-F3-B，该设备采用卷筒包装，该设备具有晶体管极性NPN。
