9icnet为您提供由其他公司设计和生产的MRF5812MR1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MRF5812MR1价格参考1.953207美元。其他MRF5812MR1包装/规格：TRANS NPN 15V 200MA。您可以下载MRF5812MR1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MRF5812GR1是TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如8-SO，功率最大设计为1.25W，以及NPN晶体管类型，该器件也可作为200mA电流收集器Ic Max使用。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为15V，该器件提供50@50mA、5V DC电流增益hFE最小Ic Vce，该器件具有5GHz的频率转换，噪声系数dB Typ f为2dB~3dB@500MHz，增益为13dB~15.5dB。
MRF5812GR2是TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC，包括15V集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管型，数据表说明中显示了用于8-SO的供应商设备包，提供功率最大值功能，如1.25W，包装设计用于Digi-ReelR，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作2dB~3dB@500MHz噪声系数dB Typ f。此外，安装类型为表面安装，该器件的增益为13dB~15.5dB，该器件具有5GHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic-Vce为50@50mA，5V，集流器Ic最大值为200mA。
MRF5812LF是由“Advanced Semiconductor”制造的半导体>分立半导体>晶体管>RF晶体管>RF双极晶体管。MRF5811LF采用SOIC-8封装，是RF晶体管（BJT）的一部分，并支持半导体>分立半导体>晶体管>射频晶体管>射频双极晶体管、射频双极晶体管RF晶体管。
MRF5812LFR2，带有MICROSEMI制造的EDA/CAD模型。MRF5812LFR2采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
