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MMBTH11是TRANSISTOR RF NPN SOT-23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为单位重量为0.002116盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为225mW，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为50mA，集电极-发射极击穿最大值为25V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@4mA，10V，频率转换为650MHz，Pd功耗为225mV，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，工作频率为650 MHz，集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为3 V，最大直流集电极电流为0.05 A，连续集电极电流为0.05 A，并且DC集电极基极增益hfe Min为60。
MMBTH10RG是晶体管RF NPN SOT23，包括40V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为以0.002116盎司的单位重量运行，晶体管类型如用于NPN的数据表注释所示，该NPN提供晶体管极性特性，如NPN，技术设计为在Si中工作，以及SOT-23-3供应商设备包，该设备也可以用作225mW最大功率。此外，Pd功耗为225mW，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，工作频率为450MHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，最大直流集电极电流为0.05 A，频率转换为450MHz，发射极基极电压VEBO为4 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为50@1mA，6V，直流集电极基极增益hFE Min为50，集电极电流Ic Max为50 mA，连续集电极电流0.045 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为40V。
MMBTH10-TP是TRANS RF NPN 650MHZ 25V SOT23，包括50mA集流器Ic Max，设计用于60@4mA、10V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表说明中显示了用于650MHZ的频率转换，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3、，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作225mW最大功率。此外，供应商器件封装为SOT-23，该器件为NPN晶体管型，该器件具有25V的集电极-发射极击穿最大值。
MMBTH10YLT1，带有LRC制造的EDA/CAD模型。MMBTH10YLT1采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
