9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DDA123HH-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DDA123JH-7参考价格为0.10017美元。Diodes Incorporated DDA123JH-7包装/规格：TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563。您可以下载DDA123JH-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DDA122LU-7-F是TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363，包括DDA122系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有2 PNP-晶体管型预偏置（双重），集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆为220，电阻器基极R2欧姆为10k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为56@10mA，5V，Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@250μA，5mA，集电极截止最大值为500nA，频率转换为200MHz，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为40 V，晶体管极性为PNP，直流集电极基极增益hfe最小值为56，典型输入电阻为220欧姆，典型电阻比为0.022，峰值直流集电极电流为100mA。
DDA122TH-7是TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563，包括50V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@250μa，5mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000106盎司，提供典型输入电阻特性，如220欧姆，晶体管类型设计为在2 PNP-预偏置（双）下工作，该器件也可以用作SOT-563供应商器件包。此外，该系列为DDA122，该器件提供220电阻基极R1欧姆，该器件最大功率为150mW，峰值直流集电极电流为100mA，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为SOT-563、SOT-666，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，频率转换为200MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1mA，5V，直流集电极基极增益hFE最小为100，集电极Ic最大为100mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大为40V。
DDA122TU-7-F是TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363，包括40 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于双配置，数据表注释中显示了用于100mA的集电极Ic Max，提供直流电流增益hFE最小Ic Vce功能，例如100@1mA，5V，频率转换设计用于200MHz，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，封装为磁带和卷轴（TR），峰值直流集电极电流为100 mA，最大功率为200mW，电阻器基极R1欧姆为220，系列为DDA122，供应商器件封装为SOT-363，晶体管极性为PNP，晶体管类型为2 PNP-预偏置（双），典型输入电阻器为220欧姆，单位重量为0.000212盎司，Vce饱和最大Ib-Ic为300mV@250μA，5mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
