9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMBTH10RG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBTH10RG参考价格23.946429美元。onsemi MMBTH10RG包装/规格：RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3。您可以下载MMBTH10RG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBTH10LT3G是TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23，包括MMBTH110L系列，它们设计用于带卷（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为225mW，该设备具有晶体管型NPN，集电极-发射极击穿最大值为25V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@4mA，10V，频率转换为650MHz，Pd功率耗散为225 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为30 V，发射极基极电压VEBO为3 V，增益带宽积fT为650 MHz，直流集电极-基极增益hfe Min为60。
MMBTH10M3T5G是TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT-723，包括25V集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管类型，晶体管极性显示在NPN中使用的数据表注释中，该NPN提供供应商设备包功能，如SOT-723，系列设计用于MMBTH110M3，以及265mW功率最大值，该器件也可以用作640mW Pd功率耗散。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用SOT-723封装盒，该设备具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，增益带宽产品fT为650 MHz，频率转换为650MHz，发射极基极电压VEBO为3V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为60@4mA，10V，直流电流最大增益hFE Max为60@10mA，直流集电极基极增益hFE Min为60@5mA，直流电压为10V，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为25V，集电极基极电压VCBO为30V。
MMBTH10QLT1G，电路图由ON/LRC制造。MMBTH10QLT1G采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
