NPN硅RF晶体管，适用于集电极电流为1 mA至20 mA的低噪声、高增益宽带放大器
特色
- 用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流为1 mA至20 mA
- fT=8 GHz，F=0.9 dB（900 MHz时）
- 无铅（符合RoHS）包装
- 根据AEC-Q101的鉴定报告可用
应用
- 无线通信
- 用于RF前端的放大器和振荡器应用
BFP182RE7764
- 描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥0.65186
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.65
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规格参数
- 晶体管类别 -
- 集电极击穿电压 -
- 特征频率 -
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) -
- 增益 -
- 最大功率 -
- 最小直流增益 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
BFP182RE7764 产品详情
BFP182RE7764 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFP-127111-10-9 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | BFP-127111-10-9 | ¥415.92062 |
| BFP 196 WN H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥1.39377 |
| BFP 420 H6801 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥3.46812 |
| BFP740H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4V 集电极电流(Ic)：45mA 功率(Pd)：160mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@25mA,3V | ¥1.76181 |
| BFP420H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4.5V 集电极电流(Ic)：60mA 功率(Pd)：210mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：95@20mA,4V | ¥0.86471 |
| BFP 196W H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：700mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@50mA,8V | ¥0.54684 |
| BFP520H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：3.5V 功率(Pd)：100mW | ¥1.96075 |
| BFP 640 H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.34935 | |
| BFP 640ESD H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.5536 | |
| BFP196WH6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥0.73226 |
BFP182RE7764所属分类：双极射频晶体管，BFP182RE7764 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFP182RE7764价格参考￥0.651861，你可以下载 BFP182RE7764中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFP182RE7764规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
