9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5114DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5114DW1T1G参考价格为0.41000美元。onsemi SMUN5114DW1T1G包装/规格：TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363。您可以下载SMUN5114DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5113DW1T1G是TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363，包括MUN5113DW1系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363，除了187mW最大功率外，该器件还可以用作2 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集电器Ic最大值为100mA，该设备提供50V电压集电器-发射器击穿最大值，该设备具有47k电阻基极R1欧姆，电阻-发射器基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，集电器截止最大值为500nA。
SMUN5112T1G是双极晶体管-预偏置SS表面安装，包括0.000988 oz单位重量，它们设计为以1典型电阻比运行。数据表注释中显示了用于22千欧的典型输入电阻，提供晶体管极性特性，如PNP，系列设计用于MUN5112，以及100 mA峰值直流集电极电流，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SC-70，器件采用SMD/SMT安装方式，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，配置为单体，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V。
SMUN5113T1G是双极晶体管-预偏置SS BR XSTR PNP 50V，包括卷筒包装，它们设计用于MUN5113系列。
