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2SC5006是一种NPN外延硅晶体管，设计用于从VHF频带到UHF频带的低噪声和小信号放大器。低噪声系数、高增益和高电流能力实现了非常宽的动态范围和出色的线性度。这是通过直接氮化钝化基底表面工艺（NEST2工艺）实现的，这是NEC专有的制造技术。
•低压使用。•高fT:4.5 GHz典型值。（VCE=3 V，IC=7 mA，f=1 GHz）•低Cre:0.7 pF典型值。（VCE=3 V，IE=0，f=1 MHz）•低NF:1.2 dB典型值。（VCE=3 V，IC=7 mA，f=1 GHz）•高|S21e|2:9 dB典型值。（@VCE=3 V，IC=7 mA，f=1 GHz）•超小型模具封装。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
作为一家拥有60多年历史的无线技术公司的一部分，连接团队15年来一直在为原始设备制造商提供一流的无线电解决方案。他们的产品专长是短程无线解决方案，例如？ZigBee、蓝牙、Wi-Fi还是组合？技术。CE...
