一个封装中的低VCEsat（BISS）晶体管和配备电阻器的晶体管
与MOSFET相比，低“阈值”电压（<1V）
所需驱动功率低
节省空间的解决方案
减少部件数量
SMT封装SOT363（Y）、SOT666（V）
PBLS2001D,115
- 描述:晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安，1A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP
- 品牌: 安世 (Nexperia)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.81138 | 0.81138 |
| 200+ | 0.31399 | 62.79880 |
| 500+ | 0.30296 | 151.48150 |
| 1000+ | 0.29750 | 297.50900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.81139
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.81
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
- 制造厂商 安世 (Nexperia)
- 包装/外壳 SC-74，SOT-457
- 晶体管类别 1个NPN预偏置，1个PNP
- 集电极最大截止电流 1.A、 100nA
- 最大功率 600mW
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 发射极电阻 (R2) 2.2千欧姆
- 集电极击穿电压 50V, 20V
- 特征频率 185兆赫
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安，1A
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 150mV@500A、 10毫安/280mV@100毫安，1A
- 最小直流增益 30 @ 20毫安, 5V / 220 @ 500毫安, 2V
PBLS2001D,115 产品详情
PBLS系列BISS负载开关，Nexperia
PBLS2001D,115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PBL4G210005000B00 | 欧姆龙 (Omron) | POWER BRICK LV DRIVE 4 AXIS | ¥0.33638 |
| PBL8G213107705L00 | 欧姆龙 (Omron) | 8 AXES POWER BRICK LV | ¥0.77935 |
| PBL4H210005P060BP | 欧姆龙 (Omron) | B&P POWER BRICK | ¥0.34172 |
| PBL8H240005500000 | 欧姆龙 (Omron) | POWER BRICK LV DRIVE 8 AXIS | ¥0.80398 |
| PBL8H213105E05K00 | 欧姆龙 (Omron) | POWER BRICK LV | ¥0.3868 |
| PBL8H233205E05V00 | 欧姆龙 (Omron) | POWER BRICK LV DRIVE 8 AXIS | ¥0.21511 |
| PBL8H230005500000 | 欧姆龙 (Omron) | POWER BRICK LV DRIVE 8 AXIS | ¥0.78079 |
| PBL8H210005500000 | 欧姆龙 (Omron) | POWER BRICK LV | ¥1.17373 |
| PBL4G210005000G00 | 欧姆龙 (Omron) | POWER BRICK LV DRIVE 4 AXIS | ¥0.74166 |
| PBL8G210005E05000 | 欧姆龙 (Omron) | POWER BRICK LV | ¥8.69583 |
PBLS2001D,115所属分类：预偏置双极晶体管阵列，PBLS2001D,115 由 安世 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PBLS2001D,115价格参考￥0.811386，你可以下载 PBLS2001D,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PBLS2001D,115规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世 (Nexperia)
安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率，并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件：每年 850 亿。该公司广泛的...
