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BFP740E6327是硅锗碳（SiGe:C）NPN异质结宽带双极RF晶体管（HBT）。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFP-127111-10-9 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | BFP-127111-10-9 | ¥415.92062 |
 | BFP 196 WN H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥1.39377 |
| BFP 420 H6801 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥3.46812 |
| BFP740H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4V 集电极电流(Ic)：45mA 功率(Pd)：160mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@25mA,3V | ¥1.76181 |
| BFP420H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4.5V 集电极电流(Ic)：60mA 功率(Pd)：210mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：95@20mA,4V | ¥0.86471 |
| BFP 196W H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：700mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@50mA,8V | ¥0.54684 |
| BFP520H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：3.5V 功率(Pd)：100mW | ¥1.96075 |
| BFP 640 H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.34935 | |
| BFP 640ESD H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.5536 | |
| BFP196WH6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥0.73226 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
