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IMH20TR1G

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 600毫安 集电极击穿电压: 15伏 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SC-74R
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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数量 单价 合计
3000+ 0.85560 2566.81200
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 特征频率 -
  • 安装类别 表面安装
  • 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
  • 晶体管类别 2 NPN-预偏置(双)
  • 发射极电阻 (R2) -
  • 集电极最大截止电流 -
  • 最大功率 300mW
  • 包装/外壳 SC-74,SOT-457
  • 供应商设备包装 SC-74R
  • 最大集电极电流 (Ic) 600毫安
  • 最小直流增益 100@50毫安,5V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 80mV @ 2.5毫安, 50毫安
  • 集电极击穿电压 15伏

IMH20TR1G 产品详情

这一系列双极型数字晶体管被设计为取代单个器件及其外部电阻偏置网络。双极型数字晶体管包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管;串联基极电阻器和基极发射极电阻器。这通过将这些单独的组件集成到单个设备中消除了这些组件,并且可以降低系统成本和电路板空间。

特色

  • IC/IB=50 mA/2.5 mA时,低VCC(sat)最大80 mV
  • 高电流:IC=最大600 mA
  • 这是一个无铅设备

应用

  • 高电流手持式应用。


(图片:引出线)

IMH20TR1G所属分类:预偏置双极晶体管阵列,IMH20TR1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IMH20TR1G价格参考¥0.760070,你可以下载 IMH20TR1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IMH20TR1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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