一系列NXP BISS（小信号突破）低饱和电压NPN双极结晶体管。这些器件在紧凑的空间节省封装中具有非常低的集电极-发射极饱和电压和高的集电极电流容量。当用于开关和数字应用中时，这些晶体管的减少的损耗导致较低的发热量和总体效率的提高。
PBSS4160DS,115
- 描述:晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 420mW 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安世 (Nexperia)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.67648 | 0.67648 |
| 100+ | 0.63085 | 63.08570 |
| 1000+ | 0.57581 | 575.81100 |
- 库存: 3000
- 单价: ¥0.67649
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.68
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规格参数
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安世 (Nexperia)
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 60V
- 晶体管类别 2 NPN（双）
- 最大集电极电流 (Ic) 1A
- 集电极最大截止电流 100nA
- 包装/外壳 SC-74，SOT-457
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大功率 420mW
- 特征频率 220兆赫
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@100毫安，1A
- 最小直流增益 200@500毫安，5伏
PBSS4160DS,115 产品详情
低饱和电压NPN晶体管
PBSS4160DS,115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PBSS3515MB315 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS3515MB315 | ¥0.27516 |
| PBSS301ND115 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS301ND115 | ¥0.84032 |
| PBSS5230PAP115 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS5230PAP115 | ¥1.44112 |
| PBSS5230T/ZLR | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS5230T/ZLR | ¥0.70749 |
| PBSS4120T/S500,215 | 恩智浦 (NXP) | PBSS4120T/S500,215 | ¥0.32303 |
 | PBSS4240T,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 40V 2A SOT23 | ¥0.43457 |
 | PBSS4032SPN,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO | ¥2.60744 |
 | PBSS4540X,135 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 40V 4A SOT89 | ¥0.72429 |
 | PBSS4021PX,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 20V 6.2A SOT89 | ¥1.23129 |
 | PBSS5320X,135 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 20V 3A SOT89 | ¥0.43457 |
PBSS4160DS,115所属分类：双极性晶体管阵列，PBSS4160DS,115 由 安世 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PBSS4160DS,115价格参考￥0.676487，你可以下载 PBSS4160DS,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PBSS4160DS,115规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世 (Nexperia)
安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率，并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件：每年 850 亿。该公司广泛的...
