9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DDA114TU-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DDA114TU-7参考价格为0.38000美元。Diodes Incorporated DDA114TU-7包装/规格：TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363。您可以下载DDA114TU-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DDA114EU-7-F是TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363，包括DDA114系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装型，该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有2 PNP-晶体管型预偏置（双重），集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆为10k，电阻器基基极R2欧姆为10k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为30@5mA，5V，Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，频率转换为250MHz，Pd功耗为0.2W，集电极-发射极电压VCEO最大值为40V，晶体管极性为PNP，发射极基极电压VEBO为-5V，连续集电极电流为-0.1A，直流集电极基极增益hfe最小值为100，典型输入电阻为10千欧，典型电阻比为1，峰值直流集电极电流为100毫安。
DDA114TH-7是TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563，包括50V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在300mV@100μa、1mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000106 oz，提供典型输入电阻特性，如10 kΩ，晶体管类型设计用于2 PNP-预偏置（双），该器件也可以用作SOT-563供应商器件包。此外，该系列为DDA114，该器件提供10k电阻基极R1欧姆，该器件最大功率为150mW，峰值直流集电极电流为100mA，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-563、SOT-666，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，频率转换为250MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1mA，5V，直流集电极基极增益hFE最小为100，集电极Ic最大为100mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大为50V。
DDA114TK-7-F是TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26，包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于双配置，数据表说明中显示了用于100mA的电流集电极Ic Max，其提供直流集电极基本增益hfe Min功能，例如100，直流电流增益hfe Min Ic Vce设计用于100@1mA，5V，以及250MHz的频率转换，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该器件为表面安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，封装外壳为SOT-23-6，封装为磁带和卷轴（TR），峰值直流集电极电流为100 mA，最大功率为300mW，电阻器基极R1欧姆为10k，系列为DDA114，供应商器件封装为SOT-26，晶体管极性为PNP，晶体管类型为2 PNP-预偏置（双），典型输入电阻器为10k欧姆，Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@100μA，1mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
