特色
- 适用于集电极电流从1 mA到20 mA时高达1 GHz的宽带放大器
- 无铅（符合RoHS）包装
应用
- 无线通信
- 用于RF前端的放大器和振荡器应用
BFS17PE6327HTSA1
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 25毫安 集电极击穿电压: 15伏 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 1.4GHz 供应商设备包装: PG-SOT23
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 4640
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 15000+ | 0.45485 | 6822.81000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.28972
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,344.28
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 增益 -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 晶体管类别 NPN
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 15伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 PG-SOT23
- 最大集电极电流 (Ic) 25毫安
- 特征频率 1.4GHz
- 最大功率 280毫瓦
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) 3.5分贝~5分贝@800MHz
- 最小直流增益 40 @ 2毫安, 1V
- 部件状态 不适用于新设计
BFS17PE6327HTSA1 产品详情
射频双极晶体管，英飞凌
BFS17PE6327HTSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFS0001 | 巴鲁夫 (Balluff) | 传感方式: 漫反射 光源: White LED 输出配置: PNP-NO 传感距离: 0.472“～1.260”（12毫米～32毫米） 电源电压: 12V ~ 28V | ¥6,232.95002 |
 | BFS000M | 巴鲁夫 (Balluff) | 传感方式: 漫反射 光源: White LED 输出配置: 推拉 电源电压: 21.6伏~26.4伏 | ¥13,634.25225 |
 | BFS08E050 | 瑞士佳乐 (Carlo Gavazzi) | LIGHT CURTAINS FOR DANGEROUS MAC | ¥4,372.39387 |
| BFS20,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 20V 25MA SOT23-3 | ¥0.57943 |
| BFS19,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 20V 30MA SOT23 | ¥0.57943 |
| BFS200-48 | 发明家电源 (Inventus Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 48V 功率（瓦特）: 200瓦 工作温度: 0摄氏度~40摄氏度 | ¥1,008.86354 |
 | BFS500-24 | 发明家电源 (Inventus Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 24伏 功率（瓦特）: 500W 工作温度: 0摄氏度~40摄氏度 | ¥1,493.68878 |
 | BFS60-24 | 发明家电源 (Inventus Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 24伏 功率（瓦特）: 60W 工作温度: 0摄氏度~40摄氏度 | ¥885.06789 |
 | BFS100-48 | 发明家电源 (Inventus Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 48V 功率（瓦特）: 100W 工作温度: 0摄氏度~40摄氏度 | ¥1,096.2274 |
 | BFS200-12 | 发明家电源 (Inventus Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 200瓦 工作温度: 0摄氏度~40摄氏度 | ¥673.57521 |
BFS17PE6327HTSA1所属分类：双极射频晶体管，BFS17PE6327HTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFS17PE6327HTSA1价格参考￥0.289716，你可以下载 BFS17PE6327HTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFS17PE6327HTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
