9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DDC114YH-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DDC114YH-7参考价格为0.45000美元。Diodes Incorporated DDC114YH-7包装/规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563。您可以下载DDC114YH-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DDC114TU-7-F是TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363，包括DDC114系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有2 NPN-预偏置（双重）晶体管型，集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆为10k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1mA，5V，Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@100μa，1mA，频率转换为250MHz，Pd功耗为0.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为PNP，发射极基极电压VEBO为5 V，连续集电极电流为0.1 A，DC集电极基极增益hfe Min为100，典型输入电阻为10k欧姆，峰值DC集电极电流为100mA。
DDC114TH-7是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@100μa，1mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000106盎司，提供典型的输入电阻特性，如10千欧姆，晶体管类型设计为在2 NPN-预偏置（双）下工作，该器件还可以用作SOT-563供应商器件包。此外，该系列为DDC114，该器件提供10k电阻基极R1欧姆，该器件最大功率为150mW，峰值直流集电极电流为100mA，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为SOT-563、SOT-666，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，频率转换为250MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1mA，5V，直流集电极基极增益hFE最小为100，集电极Ic最大为100mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大为50V。
DDC114TU-7是TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363，包括100mA电流收集器Ic Max，设计用于100@1mA，5V DC电流增益hFE Min Ic Vce，数据表说明中显示了用于250MHz的频率转换，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP，SC-88，SOT-363，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作200mW的最大功率。此外，电阻器基极R1欧姆为10k，该器件在SOT-363供应商器件包中提供，该器件具有2 NPN-预偏置（双）晶体管类型，Vce饱和最大Ib-Ic为300mV@100μa，1mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
