9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DDC114YH-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DDC114YH-7参考价格为0.45000美元。Diodes Incorporated DDC114YH-7包装/规格:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563。您可以下载DDC114YH-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如DDC114YH-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
DDC114TU-7-F是TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363,包括DDC114系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000212盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外,该配置为双重配置,该设备的最大功率为200mW,该设备具有2 NPN-预偏置(双重)晶体管型,集电极Ic最大值为100mA,集电极-发射极击穿最大值为50V,电阻器基极R1欧姆为10k,直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1mA,5V,Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@100μa,1mA,频率转换为250MHz,Pd功耗为0.2W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为50 V,晶体管极性为PNP,发射极基极电压VEBO为5 V,连续集电极电流为0.1 A,DC集电极基极增益hfe Min为100,典型输入电阻为10k欧姆,峰值DC集电极电流为100mA。
DDC114TH-7是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在300mV@100μa,1mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.000106盎司,提供典型的输入电阻特性,如10千欧姆,晶体管类型设计为在2 NPN-预偏置(双)下工作,该器件还可以用作SOT-563供应商器件包。此外,该系列为DDC114,该器件提供10k电阻基极R1欧姆,该器件最大功率为150mW,峰值直流集电极电流为100mA,封装为磁带和卷轴(TR),封装外壳为SOT-563、SOT-666,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,其最低工作温度范围为-55℃,它的最大工作温度范围为+150℃,频率转换为250MHz,直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1mA,5V,直流集电极基极增益hFE最小为100,集电极Ic最大为100mA,配置为双重,集电极-发射极电压VCEO最大为50V。
DDC114TU-7是TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363,包括100mA电流收集器Ic Max,设计用于100@1mA,5V DC电流增益hFE Min Ic Vce,数据表说明中显示了用于250MHz的频率转换,提供表面安装等安装类型功能,包装箱设计用于6-TSSOP,SC-88,SOT-363,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作200mW的最大功率。此外,电阻器基极R1欧姆为10k,该器件在SOT-363供应商器件包中提供,该器件具有2 NPN-预偏置(双)晶体管类型,Vce饱和最大Ib-Ic为300mV@100μa,1mA,集电极-发射极击穿最大值为50V。