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NE85619-T1-A
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NE85619-T1-A

  • 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 4.5GHz 供应商设备包装: SOT-523
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 5.79432 17382.96000
9000+ 4.92517 44326.54800
15000+ 4.63545 69531.84000
30000+ 4.05602 121680.72000
  • 库存: 720000
  • 单价: ¥5.79432
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17,382.96
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规格参数

  • 晶体管类别 NPN
  • 集电极击穿电压 12伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 噪声系数 (dB) 频率 (f) 1.2分贝@1GHz
  • 特征频率 4.5GHz
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 部件状态 上次购买
  • 最大功率 125毫瓦
  • 增益 9分贝
  • 最小直流增益 80 @ 7毫安, 3V
  • 包装/外壳 SOT-523
  • 供应商设备包装 SOT-523
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)

NE85619-T1-A 产品详情

特征
•高增益带宽产品:fT=7 GHz
•低噪声图:1 GHz时为1.1 dB
•高集流器电流:100 mA
•高可靠性金属化
•成本低
说明
NEC的NE856系列NPN外延硅晶体管专为低成本放大器和振荡器应用而设计。低噪声系数、高增益和高电流能力相当于宽动态范围和出色的线性度。NE856系列以低成本提供优异的性能和可靠性。这是通过NEC的钛/铂/金金属化系统及其直接氮化物钝化基底表面工艺实现的。
NE856系列提供芯片形式和Micro-x封装,用于高频应用。它也有几种低成本塑料包装样式。


(图片:引线/示意图)

NE85619-T1-A所属分类:双极射频晶体管,NE85619-T1-A 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NE85619-T1-A价格参考¥5.794320,你可以下载 NE85619-T1-A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NE85619-T1-A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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