9icnet为您提供Renesas设计和生产的NE68519-T1-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE68519-T1-A参考价格0.80000美元。瑞萨NE68519-T1-A包装/规格：与2SC5010 NPN硅AMPL相同。您可以下载NE68519-T1-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE68519-A是RF晶体管NPN SOT-523，包括散装替代封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表注释中显示了用于SOT-523的封装盒，该SOT-523提供Si等技术特性，安装类型设计为在表面安装中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为125mW，该器件采用NPN晶体管类型，该器件具有30mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为6V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为75@10mA，3V，频率转换为12GHz，噪声系数dB Typ f为1.5dB@2GHz，增益为11dB，Pd功耗为0.125W，集电极-发射极电压VCEO Max为6V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为2V，连续集电极电流为30mA，直流集电极基极增益hfe Min为75。
NE68519-T1是TRANS NPN 2GHZ SMD，包括6V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为与NPN晶体管类型一起工作，数据表注释中显示了SOT-523中使用的供应商设备包，该SOT-523提供最大功率功能，如125mW，包装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，该设备还可以用作1.5dB~2.5dB@2GHz噪声系数dB Typ f。此外，安装类型为表面安装，该设备提供7.5dB增益，该设备具有12GHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为75@10mA，3V，集流器Ic最大值为30mA。
NE68519，电路图由NEC制造。NE68519采用SOT-423封装，是RF晶体管（BJT）的一部分。
