NPN硅RF晶体管,用于低噪声、高增益宽带放大器,集电极电流为2 mA至30 mA
特色
- 用于低噪声、高增益宽带放大器,集电极电流为2 mA至30 mA
- fT=8 GHz,F=0.9 dB(900 MHz时)
- 一个封装中的两个(电流)内部隔离晶体管
- 有关卷筒方向,请参阅数据表中的包装信息
- 无铅(符合RoHS)包装
- 根据AEC-Q101的鉴定报告可用
应用
- 无线通信
- 用于RF前端的放大器和振荡器应用
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.01160 | 6.01160 |
10+ | 5.31628 | 53.16289 |
25+ | 4.99180 | 124.79517 |
100+ | 4.07340 | 407.34070 |
250+ | 3.78369 | 945.92275 |
500+ | 3.22019 | 1610.09650 |
1000+ | 2.80010 | 2800.10500 |
3000+ | 2.80010 | 8400.31500 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
NPN硅RF晶体管,用于低噪声、高增益宽带放大器,集电极电流为2 mA至30 mA
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。