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SMUN5112DW1T1G是TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363，包括MUN5112DW1系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363以及250mW最大功率，该器件也可以用作2 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集电器Ic最大值为100mA，该设备提供50V电压集电器-发射器击穿最大值，该设备具有22k电阻基极R1欧姆，电阻-发射器基极R2欧姆为22k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，集电器截止最大值为500nA。
SMUN5111T1G是双极晶体管-预偏置SRFC MNT BIAS RESTR TRANS，包括0.000219盎司单位重量，它们设计为以1典型电阻比工作，典型输入电阻如数据表注释所示，用于10千欧姆，提供晶体管极性特性，如PNP，系列设计用于MUN5111，以及202 mW Pd功耗，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SC-70-3，该器件为SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，直流集电极基极增益hfe最小值为35，连续集电极电流为0.1 A，配置为单，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V。
SMUN5112T1G是双极晶体管-预偏置SS表面安装，包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为使用单一配置工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT以及SC-70封装盒中工作，该装置也可以用作卷筒包装。此外，峰值直流集电极电流为100 mA，该设备为MUN5112系列，该设备具有晶体管极性PNP，典型输入电阻为22千欧姆，典型电阻比为1，单位重量为0.000988盎司。
