9icnet为您提供Renesas设计和生产的NE85633-T1B-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE85633-T1B-A参考价格为1.70000美元。瑞萨NE85633-T1B-A包装/规格：与2SC3356 NPN硅AMPL相同。您可以下载NE85633-T1B-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE85633-R25-A是RF晶体管NPN SOT-23，包括散装封装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型NPN，电流收集器Ic最大值为100mA，电压收集器-发射器击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@20mA，10V，频率转换为7GHz，噪声系数dB Typ f为1.1dB@1GHz，增益为11.5dB，Pd功耗为0.2W，集电极-发射极电压VCEO Max为12V，晶体管极性为NPN，发射极-基极电压VEBO为3V，连续集电极电流为0.1A。
NE85633-T1B是TRANS NPN 1GHZ SOT-23，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管型，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOT-23中，提供功率最大值功能，如200mW，包装设计用于切割带（CT），以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该设备还可以用作1.4dB~2dB@1GHz噪声系数dB Typ f。此外，安装类型为表面安装，该设备提供9dB增益，该设备具有7GHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@20mA，10V，集流器Ic最大值为100mA。
NE85633-T1-A，电路图由GP/NEC制造。NE85633-T1-A采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
