9icnet为您提供Diotec Semiconductor设计和生产的MMDT2227，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMDT2227参考价格为0.09667美元。Diotec Semiconductor MMDT2227封装/规格：BJT SOT-363 60V 600MA。您可以下载MMDT2227英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMDT2222A-TP是TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363，包括MMDT2222系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为150mW，该设备具有2个晶体管型NPN（双重），集电器Ic最大值为600mA，集电器-发射极击穿最大值为40V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@150mA，10V，Vce饱和最大值Ib Ic为1V@50mA，500mA，集电器截止最大值为10nA（ICBO），频率转换为300MHz，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为75 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大DC集电极电流为0.6A，增益带宽乘积fT为300MHz，DC集电极基本增益hfe-Min为35。
MMDT2222V-7是TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563，包括40V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在50mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106 oz，提供晶体管类型功能，如2 NPN（双），晶体管极性设计为在NPN下工作，以及SOT-563供应商设备包，该设备也可以用作MMDT22系列。此外，最大功率为150mW，该器件提供150mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-563、SOT-666，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.6A，增益带宽积fT为300MHz，频率转换为300MHz；发射极基极电压VEBO为6V；直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@150mA，10V，直流集电极基极增益hFE最小为35；集电极Ic最大为600mA，集电极截止最大为10nA（ICBO），集电极-发射极电压VCEO Max为40V，集电极-基极电压VCBO为75V。
MMDT2222V-TP是TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563，包括10nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于600mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于100@150mA，10V，提供300MHz等频率转换特性，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-563，SOT-666包装盒，该设备也可以用作切割胶带（CT）包装。此外，最大功率为150mW，该器件采用SOT-563供应商器件包，该器件具有2 NPN（双）晶体管型，Vce饱和最大Ib Ic为1V@50mA，500mA，集电极-发射极击穿最大值为40V。
MMDT2222A-7-K1PS2，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。MMDT2222A-7-K1PS2采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
