9icnet为您提供Renesas设计和生产的NE85633-T1B-R25-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE85633-T1B-R25-A价格参考1.80000美元。瑞萨NE85633-T1B-R25-A包装/规格：与2SC3356 NPN硅AMPL相同。您可以下载NE85633-T1B-R25-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NE85633-T1B-R24-A是RF TRANSISTOR NPN SOT-23，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于单位重量为0.007090盎司的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型NPN，电流收集器Ic最大值为100mA，电压收集器-发射器击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@20mA，10V，频率转换为7GHz，噪声系数dB Typ f为1.1dB@1GHz，增益为11.5dB，Pd功耗为0.2W，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为0.1A。
NE85633-T1B-R23-A带有用户指南，其中包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管型，数据表说明中显示了用于SOT-23的供应商设备包，该SOT-23提供功率最大值功能，如200mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该设备还可以用作1.1dB@1GHz噪声系数dB Typ f。此外，安装类型为表面安装，该设备提供11.5dB增益，该设备具有7GHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@20mA，10V，电流收集器Ic最大值为100mA。
NE85633-T1B-R25，带有NEC制造的电路图。NE85633-T1B-R25采用SOT23封装，是RF晶体管（BJT）的一部分。
