9icnet为您提供CEL设计和生产的NE68119-T1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE68119-T1参考价格为18.671258美元。CEL NE68119-T1包装/规格：RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SMINMOLD。您可以下载NE68119-T1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NE68119-T1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NE68119-A是RF晶体管NPN SOT-523，包括散装替代封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表注释中显示了用于SOT-523的封装盒，该SOT-523提供Si等技术特性，安装类型设计为在表面安装中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为100mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有65mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为10V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@7mA，3V，频率转换为7GHz，噪声系数dB Typ f为1.4dB@1GHz，增益为10dB，Pd功耗为0.1W，工作频率为3GHz，集电极-发射极电压VCEO Max为10V，晶体管极性为NPN，发射极-基极电压VEBO为1.5V，连续集电极电流为0.065A，DC集电极-基极增益hfe Min为80。
NE68118-T1-A是RF晶体管NPN SOT-343，包括10V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于NPN，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于SOT-343，以及150mW最大功率，该器件也可以用作150mW Pd功率耗散。此外，零件别名为2SC5012-T1-A，该设备采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有SC-82A、SOT-343封装盒，噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，增益为14dB，频率转换为9GHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为50@20mA，8V，集流器Ic Max为65mA，连续集流器电流为0.065A，配置为Single。
NE68119E，带有lnfineon制造的电路图。NE68119E采用SOD523封装，是IC芯片的一部分。
