9icnet为您提供CEL设计和生产的NE68139R-T1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE68139R-T1价格参考$26.196137。CEL NE68139R-T1包装/规格：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R。您可以下载NE68139R-T1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE68139-A是RF晶体管NPN SOT-143，包括散装替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-253-4、to-253AA，提供Si等技术特性，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-143供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为200mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有65mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为10V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@20mA，8V，频率转换为9GHz，噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz，增益为13.5dB，Pd功耗为0.2W，集电极-发射极电压VCEO Max为10V，晶体管极性为NPN，发射极-基极电压VEBO为1.5V，连续集电极电流为0.065A。
NE68133-T1B-R35-A是RF晶体管NPN SOT-23，包括10V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管类型，技术如数据表说明所示，用于Si，提供供应商器件封装功能，如SOT-23、功率最大值设计为200mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该装置也可用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱。此外，噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz，该设备为表面安装安装型，该设备的增益为13dB，频率转换为9GHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@20mA，8V，集流器Ic最大值为65mA，配置为单一。
NE68139E-T1，电路图由GP/NEC制造。NE68139E-T1采用SOT143封装，是IC芯片的一部分。
