9icnet为您提供Renesas设计和生产的NE68118-T1-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE68118-T1-A参考价格为2.00000美元。瑞萨NE68118-T1-A包装/规格：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343。您可以下载NE68118-T1-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE68118-A是RF晶体管NPN SOT-343，包括散装替代封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于SC-82A、SOT-343的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，安装类型设计为在表面安装中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为150mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有65mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为10V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@20mA，8V，频率转换为9GHz，噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz，增益为14dB，Pd功耗为150mW，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为0.065A。
NE68039-T1-A是RF晶体管NPN SOT-143，包括10V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管类型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SOT-143中，提供功率最大值功能，如200mW，封装设计用于磁带和卷轴（TR）交替封装，以及to-253-4、to-253AA封装盒，该设备还可以用作1.8dB@2GHz噪声系数dB Typ f。此外，安装类型为表面安装，该设备提供11dB增益，该设备具有10GHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@10mA，6V，集流器Ic最大值为35mA。
NE68039-T1-R46-A，带电路图，包括35mA集流器Ic Max，它们设计为在50@10mA、6V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表说明中显示了10GHz中使用的频率转换，提供12dB等增益特性，安装类型设计为在表面安装中工作，以及1.8dB@2GHz噪声系数dB Typ f，该装置也可以用作TO-253-4、TO-253AA包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型NPN，集电极-发射极击穿最大值为10V。
