9icnet为您提供CEL设计和生产的NE85634-T1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE85634-T1参考价格为4.335451美元。CEL NE85634-T1包装/规格：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89。您可以下载NE85634-T1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE85634-A是RF晶体管NPN SOT-89，包括散装替代包装包装，它们设计用于0.004603盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-243AA等封装盒功能，技术设计用于Si，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-89供应商设备包。此外，该配置为单双集电极，该设备提供2W功率最大值，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@20mA，10V，频率转换为6.5GHz，噪声系数dB Typ f为1.1dB@1GHz，增益为9dB，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围+25 C，工作频率为6.5 GHz，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为3 V，最大直流集电极电流为100 mA，并且连续集电极电流为20mA，并且DC集电极基极增益hfe Min为120。
NE85633-T1B-R25-A是RF晶体管NPN SOT-23，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在0.007090盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性特性，如NPN，技术设计用于Si，以及SOT-23供应商设备包，该设备也可作为200mW最大功率使用。此外，Pd功耗为0.2W，该设备采用Digi-ReelR替代封装封装，该设备具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，工作频率为1GHz，噪声系数dB Typ f为1.1dB@1GHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，增益为11.5dB，频率转换为7GHz，发射极基极电压VEBO为3 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@20mA，10V，集流器Ic最大值为100mA，连续集流器电流为0.1 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为12V。
NE85634RF，带有NEC制造的电路图。NE85634RF采用SOT-89封装，是IC芯片的一部分。
