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MMBTA56WT1G是TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3，包括MMBTA56GW系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000219盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-70-3（SOT323）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为150mW，该设备具有晶体管型PNP，集电器Ic最大值为500mA，集电器-发射极击穿最大值为80V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@10mA，100mA，集电截止最大值为100nA，频率转换为50MHz，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-80 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-0.25 V，集电极基极电压VCBO为-80 V，发射极基极电压VEBO为4V，最大DC集电极电流为0.5A，增益带宽乘积fT为50MHz，连续集电极电流是-0.5A，DC集电极基极增益hfe Min为100。
MMBTA56-TP是TRANS PNP 80V 0.5A SOT23，包括80V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090 oz，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP中工作，以及SOT-23供应商设备包，该设备也可以用作MMBTA56系列。此外，最大功率为225mW，该器件提供225mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.5A，增益带宽积fT为50MHz，频率转换为50MHz；发射极基极电压VEBO为4V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA，1V，直流集电极基极增益hFE最小为100，集电极Ic最大为500mA，集电极截止最大为100nA，集电极-发射极电压VCEO Max为80V，集电极-基极电压VCBO为60V。
MMBTA56-RTK/P，电路图由KEC制造。MMBTA56-RTK/P在SOT23封装中提供，是IC芯片的一部分。
