特色
- 高fT：（fT=3.5GHz典型值）
- 大电流：（IC=300mA）
- 允许的集电极损耗大（最大1.3W）
2SC5551AE-TD-E
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 1.3瓦 特征频率: 3.5GHz 供应商设备包装: PCP
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥72.98620
-
数量:
- +
- 总计: ¥72.99
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规格参数
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) -
- 增益 -
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 特征频率 3.5GHz
- 集电极击穿电压 30伏
- 包装/外壳 至243AA
- 最大集电极电流 (Ic) 300毫安
- 供应商设备包装 PCP
- 最大功率 1.3瓦
- 最小直流增益 90 @ 50毫安, 5V
2SC5551AE-TD-E 产品详情
2SC5551AE-TD-E是射频晶体管，30 V，300 mA，fT=3.5 GHz，NPN单PCP，用于高频介质输出放大器应用。
2SC5551AE-TD-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
2SC5551AE-TD-E所属分类：双极射频晶体管，2SC5551AE-TD-E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SC5551AE-TD-E价格参考￥72.986196，你可以下载 2SC5551AE-TD-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SC5551AE-TD-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
