带有S或NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。
特色
- 由于VCE（sat）较低，功耗较低，允许发出更多的闪光
- 电流容量大，抗击穿能力强
- 在从低电流到高电流的范围内，hFE具有良好的线性
- 超小型支持高密度、超小型混合IC设计
2SD1620-TD-E
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 10伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PCP
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.20088 | 4.20088 |
| 10+ | 3.62869 | 36.28693 |
| 100+ | 2.70884 | 270.88450 |
| 500+ | 2.12825 | 1064.12700 |
| 1000+ | 1.64450 | 1644.50000 |
| 2000+ | 1.59705 | 3194.11800 |
- 库存: 2697
- 单价: ¥4.20088
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.20
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 500 mW
- 包装/外壳 至243AA
- 特征频率 200MHz
- 最大集电极电流 (Ic) 3A
- 集电极击穿电压 10伏
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 400mV @ 60毫安, 3A
- 最小直流增益 140@3A，2V
- 供应商设备包装 PCP
2SD1620-TD-E 产品详情
通用NPN晶体管，1A以上，ON半导体标准
2SD1620-TD-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SD734F | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.90391 |
| 2SD1579-T-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SD1579-T-AZ - SMALL SIGNAL BIPO | ¥8.77333 |
 | 2SD1060R-1E | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 1.75瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥0.92709 |
 | 2SD1824GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 90MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥5.07003 |
 | 2SD1979GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥2.46259 |
| 2SD734F-AA | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.30131 |
| 2SD438F-MP-AE | 安盛美 (onsemi) | 2SD438 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, | ¥0.67794 |
| 2SD799 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥6.88369 |
| 2SD424 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
| 2SD750 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
2SD1620-TD-E所属分类：分立双极结型晶体管，2SD1620-TD-E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SD1620-TD-E价格参考￥4.200882，你可以下载 2SD1620-TD-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SD1620-TD-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
