NPN硅RF晶体管，用于1.8 GHz的最高增益低噪声放大器
特色
- 杰出Gms=21.5 dB噪声系数F=0.9 dB
- 金金属化，可靠性高
- SIEGET®45-生产线
- 无铅（符合RoHS）包装
- 根据AEC-Q101的鉴定报告可用
应用
- 无线通信
- 用于RF前端的放大器和振荡器应用
BFP540E6327BTSA1
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 80毫安 集电极击穿电压: 5V 最大功率: 250mW 特征频率: 30GHz 供应商设备包装: PG-SOT343-4
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥228.60100
-
数量:
- +
- 总计: ¥228.60
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 晶体管类别 NPN
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 最大功率 250mW
- 最大集电极电流 (Ic) 80毫安
- 包装/外壳 SC-82A，SOT-343
- 供应商设备包装 PG-SOT343-4
- 集电极击穿电压 5V
- 增益 21.5分贝
- 特征频率 30GHz
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) 1.8GHz时0.9分贝~1.4分贝
- 最小直流增益 50 @ 20毫安, 3.5V
BFP540E6327BTSA1 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| BFP740H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4V 集电极电流(Ic)：45mA 功率(Pd)：160mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@25mA,3V | ¥1.76181 |
| BFP420H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4.5V 集电极电流(Ic)：60mA 功率(Pd)：210mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：95@20mA,4V | ¥0.86471 |
| BFP 196W H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：700mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@50mA,8V | ¥0.54684 |
| BFP520H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：3.5V 功率(Pd)：100mW | ¥1.96075 |
| BFP 640 H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.34935 | |
| BFP 640ESD H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.5536 | |
| BFP196WH6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥0.73226 |
BFP540E6327BTSA1所属分类：双极射频晶体管，BFP540E6327BTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFP540E6327BTSA1价格参考￥228.600996，你可以下载 BFP540E6327BTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFP540E6327BTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
