NPN硅RF晶体管
特色
- 低噪声放大器专为低电压应用而设计，是1.2 V或1.8 V电源电压的理想选择。支持2.9 V Vcc，具有足够的外部集电极电阻。
- 由于高渡越频率fT=45 GHz，在高频下具有高增益和低噪声
- 查找用途，例如无绳电话和卫星接收器
- 无铅（符合RoHS）标准封装，带可见引线
- 根据AEC-Q101的鉴定报告可用
应用
- 无线通信
- 用于RF前端的放大器和振荡器应用
BFP520E6327BTSA1
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安 集电极击穿电压: 3.5伏 最大功率: 100mW 特征频率: 45GHz 供应商设备包装: PG-SOT343-4
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥79.80697
-
数量:
- +
- 总计: ¥79.81
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 晶体管类别 NPN
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 SC-82A，SOT-343
- 供应商设备包装 PG-SOT343-4
- 最大功率 100mW
- 增益 24分贝
- 集电极击穿电压 3.5伏
- 最大集电极电流 (Ic) 40毫安
- 特征频率 45GHz
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) 0.95分贝@1.8GHz
- 最小直流增益 70 @ 20毫安, 2V
BFP520E6327BTSA1 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| BFP740H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4V 集电极电流(Ic)：45mA 功率(Pd)：160mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@25mA,3V | ¥1.76181 |
| BFP420H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4.5V 集电极电流(Ic)：60mA 功率(Pd)：210mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：95@20mA,4V | ¥0.86471 |
| BFP 196W H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：700mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@50mA,8V | ¥0.54684 |
| BFP520H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：3.5V 功率(Pd)：100mW | ¥1.96075 |
| BFP 640 H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.34935 | |
| BFP 640ESD H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.5536 | |
| BFP196WH6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥0.73226 |
BFP520E6327BTSA1所属分类：双极射频晶体管，BFP520E6327BTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFP520E6327BTSA1价格参考￥79.806966，你可以下载 BFP520E6327BTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFP520E6327BTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
