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JATX2N4859是JFET N-CH 30V 360MW TO-18，包括散装包装，设计用于TO-206AA、TO-18-3金属罐包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-18等供应商设备包装功能，FET类型设计用于N通道，以及360MW最大功率，该器件也可以用作30V电压击穿V BRGSS。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供175mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，该器件具有10V@500pA电压切断Vgs关断Id，输入电容Ciss Vds为18pF@10V（Vgs），电阻RDS开为25欧姆。
JATX2N4857UB带有用户指南，包括6V@500pA电压切断VGS关闭Id，它们设计用于40V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于UB的供应商设备包，提供电阻RDS开启功能，例如40欧姆，功率最大设计用于360mW，以及散装包装，该设备也可以用作3-SMD，无引线包案例。此外，安装类型为表面安装，该器件提供18pF@10V（VGS）输入电容Ciss Vds，该器件具有FET型N沟道，漏极到源极电压Vdss为40V，电流漏极Idss Vds VGS=0为100mA@15V。
Jantx2N4930是由Microsemi制造的双极晶体管-BJT PNP晶体管。Jantx2N4930在CAN封装中提供，是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持双极晶体管-BJT PNP晶体管、Trans-GP双极PNP 200V 0.2A 3引脚TO-39。
