9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BCP5616TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BCP5616TA参考价格为0.46000美元。Diodes Incorporated BCP5616TA包装/规格：TRANS NPN 80V 1A SOT223。您可以下载BCP5616TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BCP56-16T3G是TRANS NPN 80V 1A SOT-223，包括BCP56系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006632盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1.5W，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为1A，集电极-发射极击穿最大值为80V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@150mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@50mA，500mA，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为130MHz，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为80 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为100 V，并且发射极基极电压VEBO是5V，并且最大DC集电极电流是1A，并且增益带宽乘积fT是130MHz，并且连续集电极电流为1A，并且DC集电极基极增益hfe Min是25。
BCP56-16T1G是TRANS NPN 80V 1A SOT223，包括80V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@50mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供供应商设备包功能，如SC-73，功率最大值设计为960mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作TO-261-4、TO-261AA包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备提供180MHz频率转换，该设备具有100@150mA、2V直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为1A，集电器截止值最大值为100nA（ICBO）。
BCP56-16T3，带有ON制造的电路图。BCP56-16 T3以SOT-223封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
