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HFA3096B

  • 描述:晶体管类别: 3 NPN+2 PNP 最大集电极电流 (Ic): 65毫安 集电极击穿电压: 12伏、15伏 最大功率: 150mW 特征频率: 8GHz, 5.5GHz 供应商设备包装: 16-SOIC
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥71.72967
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥71.73
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规格参数

  • 部件状态 过时的
  • 增益 -
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 最大集电极电流 (Ic) 65毫安
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 晶体管类别 3 NPN+2 PNP
  • 集电极击穿电压 12伏、15伏
  • 特征频率 8GHz, 5.5GHz
  • 噪声系数 (dB) 频率 (f) 1GHz时为3.5分贝
  • 最大功率 150mW
  • 最小直流增益 40 @ 10毫安, 2V / 20 @ 10毫安, 2V
  • 包装/外壳 16-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 供应商设备包装 16-SOIC

HFA3096B 产品详情

HFA3046、HFA3096、HFA3127和HFA3128是由Renesas互补双极UHF-1工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由一个公共单片衬底上的五个电介质隔离的晶体管组成。NPN晶体管的fT为8GHz,而PNP晶体管的fT为5.5GHz。这两种晶体管都具有低噪声(3.5dB),非常适合高频放大器和混频器应用。

HFA3046和HFA3127都是NPN阵列,而HFA3128都是PNP晶体管。HFA3096B是NPN-PNP组合。为各个晶体管的每个端子提供访问,以实现最大的应用灵活性。这些晶体管阵列的单片结构提供了五个晶体管的紧密电和热匹配。

申请说明AN9315说明了这些设备作为RF放大器的用途。

特色

  • NPN晶体管(fT)。8兆赫
  • NPN电流增益(hFE)。130
  • NPN早期电压(VA)。50伏
  • PNP晶体管(fT)。5.5GHz
  • PNP电流增益(hFE)。60
  • PNP早期电压(VA)。20伏
  • 1.0GHz时的噪声系数(50Ω)…………3.5dB
  • 收集器到收集器的泄漏<1磅/平方英寸
  • 晶体管之间完全隔离
  • 引脚与行业标准3XXX系列阵列兼容
  • 无铅(符合RoHS)


HFA3096B所属分类:双极射频晶体管,HFA3096B 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HFA3096B价格参考¥71.729669,你可以下载 HFA3096B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HFA3096B规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...

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