9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BC856B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BC856B参考价格为0.03867美元。Diotec Semiconductor BC856B封装/规格：BJT SOT-23 65V 100MA。您可以下载BC856B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BC856AW-7-F是TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3，包括BC856A系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-323供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型PNP，集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为65V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA，100mA，且集电极截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为200MHz，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为65 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为650 mV，集电极基极电压VCBO为80 V，且发射极基极电压VEBO为5V，且最大DC集电极电流为0.1A，且增益带宽乘积fT为200MHz，且DC集电极基极增益hfe Min为125，且DC电流增益hfe Max为250。
BC856AW，135是TRANS PNP 65V 0.1A SOT323，包括65V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在600mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于PNP，该PNP提供供应商设备包功能，如SOT-323，系列设计用于AEC-Q101汽车，以及200mW最大功率，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为SC-70，SOT-323，该器件为表面安装安装型，该器件具有100MHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@2mA，5V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止最大值为15nA（ICBO）。
BC856AW-G是由Comchip Technology制造的“双极晶体管-BJT-80V”。BC856AW-G以SOT323封装形式提供，是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持“双极晶体管-BJT-80V、双极（BJ）晶体管PNP 65V 100mA 100MHz 150mW表面安装SOT-323、Trans-GP BJT PNP 65W 0.1A 150mW 3引脚SOT-323 T/R、双极晶体管-BPT-80V，-.1A”。
