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HFA3127RZ96是IC TRANS ARRAY 5X NPN 16-QFN，包括HFA3127系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，包装盒如数据表注释所示，用于16-VFQFN暴露垫，提供Si等技术特性，安装类型设计为表面安装，以及16-QFN-EP（3x3）供应商设备包，该设备也可以用作Quint配置。此外，功率最大值为150mW，该器件采用5 NPN晶体管类型，该器件具有65mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为40@10mA，2V，频率转换为8GHz，噪声系数dB Typ f为3.5dB@1GHz，Pd功耗为150mW，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，工作频率为8000 MHz（Typ），集电极-发射极电压VCEO Max为8 V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为5.5 V，最大直流集电极电流为0.065 A，连续集电极电流0.065 A，并且DC集电极基极增益hfe Min在10mA和2V时为40。
HFA3127RZ是IC TRANS ARRAY 5X NPN 16-QFN，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于5 NPN晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于NPN，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于16-QFN-EP（3x3），以及HFA3127系列，该设备也可作为150mW最大功率使用。此外，Pd功耗为150mW，该设备采用管交替包装包装，该设备具有16-VFQFN封装外壳外露衬垫，工作频率为8000 MHz（Typ），噪声系数dB Typ f为3.5dB@1GHz，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+125 C，最大直流集电极电流为0.065 A，频率转换为8GHz，发射极基极电压VEBO为5.5 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为40@10mA，2V，直流集电极基极增益hFE Min为40@10 mA，2 V，集电极Ic Max为65 mA，连续集电极电流0.065 A，并且配置为Quint，集电极-发射极电压VCEO Max为8V。
HFA3127R96是IC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN，包括65mA集流器IC Max，设计用于40@10mA，2V DC电流增益hFE Min IC Vce，数据表说明中显示了8GHz中使用的频率转换，提供安装类型功能，如表面安装，噪声系数dB Typ f设计用于3.5dB@1GHz，以及16-VFQFN裸露衬垫包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为150mW，该设备采用16-QFN-EP（3x3）供应商设备包，该设备具有5 NPN晶体管型，集电极-发射极击穿最大值为12V。
HFA3128B是IC晶体管阵列PNP 16-SOIC，包括表面安装安装型，设计用于65mA集流器IC Max，数据表说明中显示了用于5.5GHz的频率转换，提供晶体管型功能，如5 PNP，噪声系数dB Typ f设计用于3.5dB@1GHz，以及20@10mA，2V DC电流增益hFE Min IC Vce，该器件也可以用作16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，供应商的器件封装是16-SOIC，该器件提供15V集电极-发射极击穿最大值，该器件具有150mW的最大功率。
