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BFP 196 E6327是RF双极晶体管NPN硅RF晶体管，包括BFP196系列，它们设计为与卷筒包装一起工作。BFP196 E6327HTSA1 BFP196E6327XT SP000011027中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，该设备也可以用作单双发射器配置。此外，晶体管类型为双极型，器件提供700 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为7.5 GHz，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为2 V，并且最大DC集电极电流是0.1A，并且连续集电极电流为0.1A。
BFP 196W H6327是RF双极晶体管RF BIP晶体管，包括双极晶体管类型，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了BFP196等系列功能，Pd功耗设计为工作在700 mW，以及BFP196WH6327XT BFP196WH 6327XTSA1 SP000745250零件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOT-343，该器件采用SMD/SMT安装方式，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，发射极基极电压VEBO为2 V，持续集电极电流为150 mA，配置为单双发射极，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V。
BFP 196R E6327是TRANS RF NPN 12V 150MA SOT143，包括150MA集流器Ic Max，它们设计为在70@50mA、8V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表说明中显示了用于7.5GHz的频率转换，提供10.5dB~16.5dB等增益特性，安装类型设计用于表面安装，该器件还可以用作TO-253-4、TO-253AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的最大功率为700mW，该设备具有供应商设备包装的PG-SOT143-4，晶体管类型为NPN，集电极-发射极击穿最大值为12V。
BFP 196R E6501是TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143，包括TO-253-4、TO-253AA封装盒，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如PG-SOT143-4，晶体管类型设计用于NPN，以及700mW最大功率，该器件还可以用作70@50mA、8V DC电流增益hFE最小Ic-Vce。此外，频率转换为7.5GHz，该设备提供150mA电流收集器Ic Max，该设备具有12V电压收集器-发射器击穿最大值，增益为10.5dB～16.5dB，噪声系数dB Typ f为1.3dB～2.3dB@900MHz～1.8GHz。
